芯片逆向设计流程


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以下为基本的芯片逆向设计流程,仅供参考:
◆ 腐蚀  
-塑料封装外壳的腐蚀,可看到第一层金属层   
一般采用98%的硫酸加热蒸煮 ,根据不同塑封料可能会用到浓硝酸。 
-金属铝层的腐蚀,可看到多晶和有源区      
采用热磷酸  
-有多层金属时,去除一层金属后需要用氢氟酸去二氧化硅 
-去多晶硅,染色看显现 P阱和N阱 
-其它细节处理,纵向结构解剖(SEM扫描电镜/TEM透射电镜或掺杂浓度曲线测试,一般需要IC解剖不作,都是标准工艺,分立器件一般需要做) 
◆ 照相拼图 
-每腐蚀一层,分区域照相
-每一层金属拼合图,每一层多晶拼合图,有源区拼合图
-利用chiplogic软件或其它逆向公司提供的软件组件把拼合图处理成软件可识别的图像文件 
-图片均是按比例处理,可用软件直接测试MOS长宽比及最小线宽等  
-处理后的图片组在软件中可同时看到多层图像,这是手工提图难以做到的  
-一般的带CCD显微镜是不能用来芯片照相拼图 ,需要专门显微镜设备 
◆ 标注分块  
-标注各引脚功能  
-从芯片引脚出发,把芯片各功能区在全版图上大致区分出来
-一般最先标注电源和地线,能提高后面分析效率 
◆ 提取、整理电路 
-数字电路需要归并同类图形,例如与非门、或非门、触发器等,同样的图形不要分析多次
-提出的电路用电路绘制软件绘出(ViewWork、Laker、Cadence等),按照易于理解的电路布置,使其他人员也能看出你提取电路的功能 
-提取电路的速度完全由提图人员经验水平确定?
-Chiplogic软件是按照版图的位置把各组件连接起来,如果不整理电路是看不出各模块的连接及功能的,所以完全靠软件是不能完成电路功能块划分和分析 
◆ 分析电路 
-提取出的电路整理成电路图,并输入几何参数(MOS为宽长比)  
-通过你的分析,电路功能明确,电路连接无误  
◆ 仿真验证,电路调整 
-对电路进行功能仿真验证
-模拟电路一般采用Hspice、Cadence等工具,小规模数字电路采用Cadence,Hsim等工具 
-根据新的工艺调整电路 
-调整后进行验证  
◆ 版图绘制验证及后仿真 
-根据新的工艺文件绘制版图 
-版图DRC、LVS,寄生参数提取(Dracula,Assura,Calibre等工具) 
-提取的网表作仿真验证,并与前仿结果对比 
-版图导出GDS文件,Tape out 

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